啥叫反向二极管_啥叫反向延长线

北京时代民芯取得一种改善槽栅VDMOS器件寄生体二极管反向恢复...金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,北京时代民芯科技有限公司取得一项名为“一种改善槽栅VDMOS器件寄生体二极管反向恢复特性的方法”的专利,授权公告号CN 112447525 B,申请日期为2020年11月。

上海超致半导体申请超结开关器件专利,改善体二极管反向恢复特性第一体区、辅助沟道区、第一掺杂型柱、栅绝缘层和栅极构成寄生金属氧化物半导体场效应晶体管;辅助沟道区的掺杂浓度用于调节寄生金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压的绝对值。本发明实施例的技术方案有效改善了体二极管反向恢复特性,且不影响器件的反向阻断特性。

上海积塔半导体申请接触孔相关专利,减小了快恢复二极管内的反向电流的初始接触孔,初始接触孔的拐角处剩余的介质层的厚度大于初始接触孔的底面处剩余的介质层的厚度;采用第二刻蚀工艺自初始接触孔刻蚀介质层和部分的场氧化层,形成延伸至场氧化层的内部的接触孔。本发明确保了刻蚀后剩余的场氧化层的厚度,减小了快恢复二极管内的反向电流。

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...电源专利,避免了自举二极管因反向恢复所带来的失效风险和性能降级第一开关管的第一端连接第一电容的第二端,第一开关管的第二端通过限流电路连接桥式驱动电路的电源端;第一开关管导通时,电源端通过限流电路和第一开关管向第一电容充电,限流电路用于限制流向第一电容的充电电流。通过上述设置,避免了自举二极管因反向恢复所带来的失效风险好了吧!

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深圳爱仕特取得结势垒肖特基二极管专利,有效提高反向击穿电压金融界2024年11月19日消息,国家知识产权局信息显示,深圳爱仕特科技有限公司取得一项名为“种结势垒肖特基二极管”的专利,授权公告号等会说。 区宽度小于位于外延层内的P型区宽度。通过上述对P型区的设计可以明显降低P型区边缘拐角电场集中的效应,从而有效提高反向击穿电压。

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苏州艾镁特取得具有高抗压性能的肖特基二极管专利,提高其反向抗击...所述半导体本体中一体定位有加强支撑框,所述半导体衬底中一体定位有防护外框。本实用新型所述的一种具有高抗压性能的肖特基二极管,降低器件的击穿电压对JTE浓度的敏感度,提高其反向抗击穿能力,且同时增加半导体的使用强度抗压性能更为优异表面具有很好的保护效果,同时具后面会介绍。

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鼎信通讯申请雪崩光电二极管校准方法专利,以完成对反向偏压的校准本申请公开了一种雪崩光电二极管校准方法、装置、电子设备及可读存储介质,包括:将待校准APD放置于无光温控箱中,并按预设的温度调控顺序使待校准APD依次处于不同温度的环境;分别对处于每个温度下的待校准APD,均进行施加逐渐增大的反向偏压,并利用测温电阻和暗电流检测电小发猫。

...H3TRB可靠性能力的二极管及制备方法专利,提高整个器件的反向耐压二极管及制备方法,涉及半导体器件。本发明延长P型掺杂区二的长度,使得在HV‑H3TRB高压高湿的环境中,起到了保护碳化硅外延层的作用,从而保护整个器件不被击穿。本发明延长P型掺杂区二的长度,使得终端的电场强度被进一步的分解,从而提高整个器件的反向耐压。本文源自金融好了吧!

北京前锋科技取得一种旋转二极管功率桥臂模块专利,使得组成的旋转...北京前锋科技有限公司取得一项名为“一种旋转二极管功率桥臂模块”的专利,授权公告号CN 221995301 U,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本申请涉及一种旋转二极管功率桥臂模块,属于机电的技术领域,其包括正向二极管模块和反向二极管模块,所述正向二极管模块和所述反向等会说。

H桥电路中的续流二极管:作用与重要性解析电机绕组会产生反向电动势来维持原来的电流方向。此时,续流二极管提供了一条低阻路径让这个反向电流可以通过,从而避免了对其他敏感组件的影响。(二)提供回流路径除了防止电流突然变化外,续流二极管还为电感器(如电机绕组)提供了一个必要的回路,确保即使在开关状态改变后也好了吧!

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