怎么自己制作一个小型漏电保护器
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长鑫存储申请半导体结构制作方法专利,降低半导体结构的漏电金融界2024年3月12日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制作方法及其结构“公开号CN1好了吧! 在形成栅极结构及保护层之后,采用氢离子铸合工艺对沟道层的表面进行钝化处理可以降低半导体结构的漏电。本文源自金融界
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...接式晶闸管管芯及制作方法”专利,降低管芯在高温动态下测试的漏电流金融界2024 年8 月25 日消息,天眼查知识产权信息显示,黄山芯微电子股份有限公司取得一项名为“一种压接式晶闸管管芯及制作方法“授权等会说。 不合格芯片钼片经过处理后再次利用。电压槽采用三层保护,降低管芯在高温动态下测试的漏电流;钼片钛镍银多层金属保护防止氧化,降低了热等会说。
华羿微电子申请抑制中压 SGT MOSFET 横向漏电终端设计结构专利,...制作方法及应用”的专利,公开号CN 118919555 A,申请日期为2024 年10 月。专利摘要显示,本发明公开了抑制中压SGT MOSFET 横向漏电的终端设计结构、制作方法及应用,该终端设计结构通过在终端沟槽保护环阵列底部处进行低能量离子注入,从而形成低能量离子注入层,低能量离等会说。
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