什么叫随机存取存储器
联华电子申请静态随机存取存储器专利,提升存储性能金融界2024年11月28日消息,国家知识产权局信息显示,联华电子股份有限公司申请一项名为“静态随机存取存储器”的专利,公开号CN 119028400 A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示,本发明公开一种静态随机存取存储器,包括第一存储器单元。所述第一存储器单元包括:第一下拉好了吧!
联华电子取得静态随机存取存储器装置专利金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,联华电子股份有限公司取得一项名为“静态随机存取存储器装置”的专利,授权公告号CN 112530491 B,申请日期为2019年9月。
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台积电申请静态随机存取存储器及其制造方法专利,涉及制造静态随机...金融界2024年6月7日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“静态随机存取存储器及其制造方法“公开号CN202410178578.X,申请日期为2024年2月。专利摘要显示,一种静态随机存取存储器(SRAM)包括:第一CFET堆叠和第二CFET堆叠,每个CF说完了。
2024年中国动态随机存取存储器行业发展现状、竞争格局及趋势预测半导体存储器利用半导体介质实现信息存储,存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放。按照是否需要持续通电以维持数据,半导体存储器可分为易失性存储和非易失性存储。易失性存储主要指随机存取存储器(RAM)。RAM需要维持通电以保存数据供主系统CPU读写和处理。RAM根据是后面会介绍。
台积电取得静态随机存取存储器装置专利,提高存储性能金融界2024 年7 月21 日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“静态随机存取存储器装置“授权公告号CN21381673U,申请日期为2023 年11 月。专利摘要显示,本新型的一面向涉及静态随机存取存储器装置。此静态随机存取存储器装置包含基后面会介绍。
三星取得相变随机存取存储器专利,专利技术能够执行包括复位阶段和...金融界2024年4月29日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“相变随机存取存储器单元阵列及其写入方法”的专利,授权公告号CN111326190B,申请日期为2019年8月。专利摘要显示,一种相变随机存取存储器单元阵列及其写入方法。一种存储器系统包括:存储器是什么。
三星取得动态随机存取存储器装置专利,存储器单元阵列可排列为具有...金融界2024年4月27日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“动态随机存取存储器装置“授权公告号CN109903795B,申请日期为2018年7月。专利摘要显示,一种动态随机存取存储器(DRAM)装置包括:存储器单元阵列,其包括第一子存储器单元阵列块和第二子存还有呢?
晶合集成申请静态随机存取存储器单元的制备方法专利,提高静态随机...金融界2024年4月10日消息,据国家知识产权局公告,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“静态随机存取存储器单元的制备方法“公开号CN117858496A,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,本发明提供了一种静态随机存取存储器单元的制备方法,包括:提供衬底,衬底中形成有等我继续说。
三星取得磁阻随机存取存储器件及其制造方法专利,该专利技术能实现...金融界2024年4月4日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“磁阻随机存取存储器件及其制造方法“授权公告号CN109713122B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示,提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括:在基板的上表面上形成第一电是什么。
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北京大学申请铁电随机存取存储器阵列及其控制方法专利,增大铁电...金融界2024年3月11日消息,据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“一种铁电随机存取存储器阵列及其控制方法“公开号CN117672288A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明提供了一种铁电随机存取存储器阵列及其控制方法,属于半导体存储器技术领域。本发明包等会说。
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