什么是电压源模型_什么是电压源模型参数
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...授权:“一种基于物理结构的沟槽型MOSFET电路模型及其建立方法”专利名为“一种基于物理结构的沟槽型MOSFET电路模型及其建立方法”,专利申请号为CN202110185932.8,授权日为2025年2月21日。专利摘要:本申请实施例提供了一种基于物理结构的沟槽型MOSFET电路模型及其建立方法,包括,电压控制电压源,第一MOSFET,第二MOSFET,第一电还有呢?
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...稀疏识别的三相电压源变流器谐波动态特性识别专利,模型精准度很高解决可再生能源三相电压源变流器并网系统的谐波谐振问题;本发明根据三相电压源变流器的物理结构及小信号响应,得出其在电压扰动下的电流响应约束,基于此选择状态变量及约束候选项;获取带有系统特征的状态数据;应用稀疏识别方法识别出变流器的谐波动态特性约束方程模型;采用说完了。
清华大学申请电压源型并网变流器暂态过电压的锁相环参数整定方法...本发明提供一种电压源型并网变流器暂态过电压的锁相环参数整定方法,包括:获取待整定锁相环的锁相环初始参数及控制策略的延迟时间参数;根据所述锁相环初始参数,基于多时间尺度理论得到仅保留锁相环的二阶单零点系统模型;基于所述二阶单零点系统模型计算锁相环响应的上升时小发猫。
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